Goldbeschichtete Siliziumwafer und goldbeschichtete Siliziumchips werden häufig als Substrate für die analytische Charakterisierung von Materialien verwendet. Beispielsweise können auf goldbeschichteten Wafern abgeschiedene Materialien aufgrund des hohen Reflexionsvermögens und der günstigen optischen Eigenschaften von Gold mittels Ellipsometrie, Raman-Spektroskopie oder Infrarotspektroskopie (IR) analysiert werden. Darüber hinaus sind goldbeschichtete Siliziumwafer hervorragende Substrate für die Herstellung von Elektroden, elektrochemischen Sensoren, selbstorganisierten Monoschichten, photonischen Geräten und anderen fortschrittlichen Technologien.

 

Goldbeschichtete thermische Oxid-Siliziumwafer

Unsere Siliziumwafer sind 100-mm-Scheiben mit einer Dicke von 525 µm und einer thermischen Oxidschichtdicke von 285-nm +/- 5%. Über der Titan-Haftschicht ist ein Goldfilm aufgetragen (zur Förderung der mechanischen Stabilität des dünnen Films). Ideal für die Herstellung von Sensoren, Biosensoren und Elektroden mittels Fotolithographie und Nassätztechniken.

 

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